IXDF602SI

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功能描述
2A 8SOIC EXP MTL DUAL IN/NON-INV
RoHS
是
类别
集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
系列
-
标准包装
50
系列
-
配置
低端
输入类型
非反相
延迟时间
40ns
电流 - 峰
9A
配置数
1
输出数
1
高端电压 - 最大（自引导启动）
-
电源电压
4.5 V ~ 35 V
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA
供应商设备封装
TO-263
包装
管件

IXDF602SI 技术参数

IXDF602PI 功能描述:2A MOSFET 8 DIP DUAL INV/NON-INV RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 IXDF602D2TR 功能描述:2A MOSFET 8 DFN DUAL INV/NON-INV RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 IXDF504SIAT/R 功能描述:功率驱动器IC 4 Amps 40V 2.5 Ohms Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDF504SIA 功能描述:功率驱动器IC 4 Amps 40V 2.5 Ohms Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDF504PI 功能描述:功率驱动器IC 4 Amps 40V 2.5 Ohms Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDH20N120D1 IXDH30N120 IXDH30N120D1 IXDH35N60B IXDH35N60BD1 IXDI402PI IXDI402SI IXDI402SIA IXDI404PI IXDI404SI IXDI404SI-16 IXDI404SIA IXDI409CI IXDI409PI IXDI409SI IXDI409SIA IXDI409YI IXDI414CI