IXDN55N120

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2/2页 40条/页共64条
上一页 1 2

您是不是要找： IXDN55N120D1 IXDN602D2TR IXDN602PI IXDN602SI IXDN602SIA IXDN602SIATR IXDN602SITR IXDN604PI IXDN604SI

IXDN55N120 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IXDN55N120 PDF下载

制造商
IXYS
制造商全称
IXYS Corporation
功能描述
High Voltage IGBT with optional Diode

IXDN55N120 技术参数

IXDN514SIAT/R 功能描述:功率驱动器IC 14 Amps 40V 1.0 Ohms Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDN514SIA 功能描述:功率驱动器IC 14 Amps 40V 1.0 Ohms Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDN514PI 功能描述:功率驱动器IC 14 Amps 40V 1.0 Ohms Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDN514D1T/R 功能描述:功率驱动器IC 14 Amps 40V 1.0 Ohms Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDN514D1 功能描述:功率驱动器IC LS MOSFET DRVR 35V, 14A RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDN604SIA IXDN604SIATR IXDN604SITR IXDN604WW IXDN609CI IXDN609PI IXDN609SI IXDN609SIA IXDN609SIATR IXDN609SITR IXDN609YI IXDN614CI IXDN614PI IXDN614SI IXDN614SITR IXDN614YI IXDN630CI IXDN630MCI