您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > 1字母型号搜索 >

10A066H4F34I3SG

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 10A066H4F34I3SG
    10A066H4F34I3SG

    10A066H4F34I3SG

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:86-755-8450174913760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

  • 120

  • ALTERA

  • FBGA

  • 假一赔十!

  • -
  • 原装自己现货!!

  • 10A066H4F34I3SG
    10A066H4F34I3SG

    10A066H4F34I3SG

  • 聚芯优品(深圳)控股集团有限公司
    聚芯优品(深圳)控股集团有限公司

    联系人:邓生

    电话:1330244183018823807848

    地址:深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD双子塔.西塔3903B

    资质:营业执照

  • 2600

  • ALTERA

  • QFN-40P

  • 21+

  • -
  • 现货分销 自有库存 正品保障 假一罚十

  • 10A066H4F34I3SG
    10A066H4F34I3SG

    10A066H4F34I3SG

  • 好货芯城
    好货芯城

    联系人:连先生

    电话:0755-23947614400-6606-101

    地址:华强北街道华强广场C座22K室

    资质:营业执照

  • 0

  • -
  • 1/1页 40条/页 共1条 
  • 1
10A066H4F34I3SG PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
10A066H4F34I3SG 技术参数
  • 10A060 功能描述:TRANS RF BIPO 21W 3A 55FT-2 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):24V 频率 - 跃迁:1GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:8dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值:21W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 400mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 工作温度:200°C(TJ) 安装类型:接线柱安装 封装/外壳:55FT 供应商器件封装:55FT 标准包装:1 10A05-T 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:80pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 10A04-T 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:150pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 10A030 功能描述:TRANS RF BIPO 13W 1.5A 55FT2 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):24V 频率 - 跃迁:2.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:7.8dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值:13W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 200mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 工作温度:200°C(TJ) 安装类型:接线柱安装 封装/外壳:55FT 供应商器件封装:55FT 标准包装:1 10A02-T 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:150pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 10AS016C4U19I3LG 10AS016C4U19I3SG 10AS016E3F27E1HG 10AS016E3F27E1SG 10AS016E3F27E2LG 10AS016E3F27E2SG 10AS016E3F27I1HG 10AS016E3F27I1SG 10AS016E3F27I2LG 10AS016E3F27I2SG 10AS016E3F29E1HG 10AS016E3F29E1SG 10AS016E3F29E2LG 10AS016E3F29E2SG 10AS016E3F29I1HG 10AS016E3F29I1SG 10AS016E3F29I2LG 10AS016E3F29I2SG
配单专家

在采购10A066H4F34I3SG进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买10A066H4F34I3SG产品风险,建议您在购买10A066H4F34I3SG相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的10A066H4F34I3SG信息由会员自行提供,10A066H4F34I3SG内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号