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1239AS-H-6R8M=P2

配单专家企业名单
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    现货
  • 深圳市百润电子有限公司
    深圳市百润电子有限公司

    联系人:

    电话:17876146278

    地址:沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13305449939

    地址:深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

    资质:营业执照

  • 25

  • MURATA

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  • 23+

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

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  • Murata Electronics North

  • 标准封装

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  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

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  • MURATA/村田

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  • 原厂原装现货

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室

    资质:营业执照

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:中国上海

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

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  • Murata Electronics North

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  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:苗凤军

    电话:17623594308

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

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1239AS-H-6R8M=P2 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 6.8μH Shielded Wirewound Inductor 1A 375 mOhm Max
  • 制造商
  • murata electronics north america
  • 系列
  • DFE252012C
  • 包装
  • *
  • 零件状态
  • 新产品
  • 类型
  • 绕线
  • 材料 - 磁芯
  • 铁粉
  • 电感
  • 6.8μH
  • 容差
  • ±20%
  • 额定电流
  • 1A
  • 电流 - 饱和值
  • 1.3A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 电阻(DCR)
  • 375 毫欧最大
  • 不同频率时的 Q 值
  • -
  • 频率 - 自谐振
  • -
  • 等级
  • -
  • 工作温度
  • -40°C ~ 85°C
  • 频率 - 测试
  • 1MHz
  • 安装类型
  • *
  • 封装/外壳
  • *
  • 大小/尺寸
  • *
  • 高度 - 安装(最大值)
  • *
  • 标准包装
  • 1
1239AS-H-6R8M=P2 技术参数
  • 1239AS-H-6R0M=P2 功能描述:6μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 275 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012C 包装:* 零件状态:新产品 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:6μH 容差:±20% 额定电流:1.1A 电流 - 饱和值:1.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):275 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 1239AS-H-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 240 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012C 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:1.5A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):240 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 1239AS-H-3R3M=P2 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 144 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012C 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:1.8A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):144 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 1239AS-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 108 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012C 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:2.2A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):108 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 1239AS-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.6A 72 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012C 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:2.6A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):72 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.047"(1.20mm) 标准包装:1 123I,BK 123I,GY 123JG1K 123L15-00P-WB 123NQ080 123NQ080-1 123NQ080R-1 123NQ100 123NQ100-1 123NQ100R 123NQ100R-1 123R,AL 123R,BK 123R,GY 123RI,AL 123RI,BK 123RI,GY 123SPC080A
配单专家

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