125NS10

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制造商
NAINA
制造商全称
Naina Semiconductor ltd.
功能描述
Standard Recovery Diodes (Stud and Flat Base Type), 125A

125NS10 技术参数

125NQ015R-1 功能描述:DIODE SCHOTTKY 15V 120A PRM1-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:15V 电流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:390mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:40mA @ 15V 不同?Vr，F 时的电容:7700pF @ 5V，1MHz 安装类型:底座安装封装/外壳:HALF-PAK 供应商器件封装:PRM1-1（Half Pak 模块）工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:27 125NQ015R 功能描述:DIODE MODULE 15V 120A HALF-PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:15V 电流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:390mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:40mA @ 15V 不同?Vr，F 时的电容:7700pF @ 5V，1MHz 安装类型:底座安装封装/外壳:D-67 半封装供应商器件封装:D-67 工作温度 - 结:* 标准包装:20 125NQ015-1 功能描述:DIODE SCHOTTKY 15V 120A PRM1-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:15V 电流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:390mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:40mA @ 15V 不同?Vr，F 时的电容:7700pF @ 5V，1MHz 安装类型:底座安装封装/外壳:HALF-PAK 供应商器件封装:PRM1-1（Half Pak 模块）工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:27 125NQ015 功能描述:DIODE MODULE 15V 120A HALF-PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:15V 电流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:390mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:40mA @ 15V 不同?Vr，F 时的电容:7700pF @ 5V，1MHz 安装类型:底座安装封装/外壳:D-67 半封装供应商器件封装:D-67 工作温度 - 结:* 标准包装:50 125NHG02B 功能描述:FUSE SQUARE 125A 500VAC/250VDC 制造商:eaton 系列:- 包装:散装零件状态:过期保险丝类型:方形额定电流:125A 额定电压 - AC:500V 额定电压 - DC:250V 响应时间:快速应用:电气，工业特性:指示类别:NH 认可:VDE 工作温度:- 不同额定电压时的熔断能力:120kA 安装类型:支座封装/外壳:矩形，插片大小/尺寸:2.953" 长 x 2.047" 宽 x 2.165" 高（75.00mm x 52.00mm x 55.00mm）融断 I2t:25000 DC 冷态电阻:- 标准包装:3 125PSB202K6R 125Q 125R20-102BO 12-5-RP16 12-5-RP25 12-5-RP32 12-5-RP45 12-5-RP62 125SPC015A 126 1260 1260.020.00 1260.021.00 1260.022.00 126000 126-00000 126-00001 126-00015