1269AS-H-2R2M-P2

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1269AS-H-2R2M-P2
深圳市华盛锦科技有限公司
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65200
MURATA/村田
SMD
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深圳市华芯盛世科技有限公司
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1269AS-H-2R2M-P2 技术参数

1269AS-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.9A 156 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010C 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:1.9A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:156 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 1269AS-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 108 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010C 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:2.1A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:108 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 1269AS-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 78 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010C 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1μH 容差:±20% 额定电流:2.7A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:78 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 1269AS-H-100N=P2 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 1A 689 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010C 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:10μH 容差:±30% 额定电流:1A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:689 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 1269A 0101000 功能描述:CBL 2PR 22AWG SHLD 制造商:belden inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:1,000 126D 126KXM063M 126KXM100M 126M76-032 126MABA02KJS 126MABA03KJS 126MABA04KJS 126MHBS35K2H 126MHBS40K2H 126MHBS45K2J 126MHBS55K2J 126MHBS55K2JA 126MHBS60K2J 126MHBS70K2R 12-6-NB 126NQ200-1 126PHC600K 12-6S