15C02S

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制造商
SANYO
制造商全称
Sanyo Semicon Device
功能描述
Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications

15C02S 技术参数

15C02MH-TL-E 功能描述:TRANS NPN 15V 1A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:280mV @ 20mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:600mW 频率 - 跃迁:440MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-MCPH 标准包装:3,000 15C02CH-TL-E 功能描述:TRANS NPN 15V 1A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:280mV @ 20mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:700mW 频率 - 跃迁:440MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 15C01SS-TL-E 功能描述:TRANS NPN 15V 0.6A SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:330MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:8,000 15C01M-TL-E 功能描述:TRANS NPN 15V 0.7A MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:330MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:3-MCP 标准包装:1 15C01C-TB-E 功能描述:TRANS NPN 15V 0.7A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:330MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:3,000 15CTQ035STRL 15CTQ035STRR 15CTQ040 15CTQ045 15CTQ045S 15CTQ045STRL 15CTQ045STRR 15D-100-SS 15D-110-BD 15D-200-SS 15D-210-BD 15DAF1 15DB751J 15DCF10 15DM-2 15E1C15.5 15E1C15.5S 15E1C2.75