195CG12

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195CG12 技术参数

195C75 功能描述:1mH Unshielded Inductor 75A 4 mOhm Nonstandard 制造商:hammond manufacturing 系列:195 包装:散装零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:1mH 容差:±15% 额定电流:75A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:4 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:- 安装类型:底座安装封装/外壳:非标准大小/尺寸:5.250" 长 x 6.000" 宽（133.35mm x 152.40mm）高度 - 安装（最大值）:4.470"（113.54mm）标准包装:1 195C50 功能描述:1mH Unshielded Inductor 50A 5 mOhm Nonstandard 制造商:hammond manufacturing 系列:195 包装:散装零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:1mH 容差:±15% 额定电流:50A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:5 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:- 安装类型:底座安装封装/外壳:非标准大小/尺寸:4.500" 长 x 5.250" 宽（114.30mm x 133.35mm）高度 - 安装（最大值）:3.750"（95.25mm）标准包装:1 195C30 功能描述:1mH Unshielded Inductor 30A 9 mOhm Nonstandard 制造商:hammond manufacturing 系列:195 包装:散装零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:1mH 容差:±15% 额定电流:30A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:9 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:- 安装类型:底座安装封装/外壳:非标准大小/尺寸:3.750" 长 x 3.850" 宽（95.25mm x 97.79mm）高度 - 安装（最大值）:3.130"（79.50mm）标准包装:1 195C20 功能描述:1mH Unshielded Inductor 20A 13 mOhm Nonstandard 制造商:hammond manufacturing 系列:195 包装:散装零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:1mH 容差:±15% 额定电流:20A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:13 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:- 安装类型:底座安装封装/外壳:非标准大小/尺寸:3.000" 长 x 3.060" 宽（76.20mm x 77.72mm）高度 - 安装（最大值）:2.500"（63.50mm）标准包装:1 195C100 功能描述:1mH Unshielded Inductor 100A 3.6 mOhm Nonstandard 制造商:hammond manufacturing 系列:195 包装:散装零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:1mH 容差:±15% 额定电流:100A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:3.6 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:- 安装类型:底座安装封装/外壳:非标准大小/尺寸:5.250" 长 x 5.500" 宽（133.35mm x 139.70mm）高度 - 安装（最大值）:4.470"（113.54mm）标准包装:1 195D105X0015C4T 195D105X0016C2T 195D105X0016S4T 195D105X0020C2T 195D105X0020S2T 195D105X0020S4T 195D105X0025S2T 195D105X0035D2T 195D105X0035D4T 195D105X0035S2T 195D105X0035S4T 195D105X0035S7T 195D105X0050X2T 195D105X0050X4T 195D105X06R3C2T 195D105X5016C4T 195D105X5035S2T 195D105X5035S4T