1N11890

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制造商
MICROSEMI
制造商全称
Microsemi Corporation
功能描述
Silicon Power Rectifier

1N11890 技术参数

1N1189 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 190°C 标准包装:5 1N1188R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 400V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 190°C 标准包装:5 1N1188AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 40A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:5 1N1188A 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 40A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:5 1N1188 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 190°C 标准包装:5 1N1192 1N1192A 1N1193 1N1193A 1N1194 1N1194A 1N1195 1N1195A 1N1196 1N1196A 1N1197 1N1197A 1N1198 1N1198A 1N1199 1N1199A 1N1199AR 1N1199B