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1N1202CR

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    1N1202CR

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 275

  • isc,iscsemi

  • DO-4,DO-203AA

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

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  • 1
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  • 制造商
  • 未知厂家
  • 制造商全称
  • 未知厂家
  • 功能描述
  • Silicon Power Rectifiers
1N1202CR 技术参数
  • 1N1202C 功能描述:STANDARD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N1202BR 功能描述:STANDARD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N1202B 功能描述:STANDARD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N1202AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准型, 反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):12A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 12A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:5 1N1202A 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):12A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 12A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:5 1N1204A 1N1204AR 1N1204B 1N1204BR 1N1204C 1N1204R 1N1205 1N1205A 1N1205AR 1N1205B 1N1205BR 1N1205C 1N1205R 1N1206 1N1206A 1N1206AR 1N1206B 1N1206BR
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