1N2P112A

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1N2P112A
现货
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
6800
INFINNO
原厂原封
1516+
-
只做原厂原装正品

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1N2P112A 技术参数

1N2999RB 功能描述:DIODE ZENER 56V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:16 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N2999B 功能描述:DIODE ZENER 56V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:16 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N2999A 功能描述:DIODE ZENER 56V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:16 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N2998B 功能描述:DIODE ZENER 52V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:52V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 39V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N2998A 功能描述:DIODE ZENER 52V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:52V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 39V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N3003A 1N3003B 1N3003RB 1N3004A 1N3004B 1N3004RB 1N3005A 1N3005B 1N3005RB 1N3006A 1N3006B 1N3007A 1N3007B 1N3007RB 1N3008A 1N3008B 1N3008RB 1N3009A