1N3021B-1

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说明
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1N3021B-1
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 11V 1W DO-41

1N3021B-1 技术参数

1N3020BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 10V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 7.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 标准包装:1 1N3020B-1 功能描述:DIODE ZENER 10V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 7.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 1N3019BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:6 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 6.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 标准包装:1 1N3019B-1 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:6 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 6.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 1N3018BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 6.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 标准包装:1 1N3026B-1 1N3026BUR-1 1N3027B-1 1N3027BUR-1 1N3028B-1 1N3028BUR-1 1N3029B-1 1N3029BUR-1 1N3030B-1 1N3030BUR-1 1N3031B-1 1N3031BUR-1 1N3032B-1 1N3032BUR-1 1N3033B-1 1N3033BUR-1 1N3034B-1 1N3034BUR-1