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1N330A1DGST

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1N330A1DGST 技术参数
  • 1N3309RB 功能描述:DIODE ZENER 10V 50W DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗(最大值)(Zzt):0.6 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 6.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 1N3309RA 功能描述:DIODE ZENER 10V 50W DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10V 容差:±10% 功率 - 最大值:50W 阻抗(最大值)(Zzt):0.6 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 6.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 1N3309B 功能描述:DIODE ZENER 10V 50W DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗(最大值)(Zzt):0.6 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 6.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 1N3309A 功能描述:DIODE ZENER 10V 50W DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10V 容差:±10% 功率 - 最大值:50W 阻抗(最大值)(Zzt):0.6 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 6.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 1N3308RB 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 50W DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗(最大值)(Zzt):0.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 6.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 1N3312B 1N3312RA 1N3312RB 1N3313A 1N3313B 1N3313RA 1N3313RB 1N3314A 1N3314B 1N3314RA 1N3314RB 1N3315A 1N3315B 1N3315RA 1N3315RB 1N3316A 1N3316B 1N3316RA
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