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1N3324RB

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  • 深圳诚思涵科技有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 30V 50W DO-5
1N3324RB 技术参数
  • 1N3324B 功能描述:DIODE ZENER 30V 50W DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗(最大值)(Zzt):3 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 22.8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 1N3324A 功能描述:DIODE ZENER 30V 50W DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±10% 功率 - 最大值:50W 阻抗(最大值)(Zzt):3 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 22.8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 1N3323RB 功能描述:DIODE ZENER 27V 50W DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗(最大值)(Zzt):2.8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 20.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 1N3323RA 功能描述:DIODE ZENER 27V 50W DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27V 容差:±10% 功率 - 最大值:50W 阻抗(最大值)(Zzt):2.8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 20.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 1N3323B 功能描述:DIODE ZENER 27V 50W DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗(最大值)(Zzt):2.8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 20.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 1N3328A 1N3328B 1N3328RB 1N3329A 1N3329B 1N3329RB 1N332RB 1N3330A 1N3330B 1N3330RB 1N3331A 1N3331B 1N3331RB 1N3332A 1N3332B 1N3332RB 1N3333A 1N3333B
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