1N3508A

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ZENER SGL 3.9V 5% 400MW 2PIN DO-35 - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 3.9V 500MW DO-35

1N3508A 技术参数

1N3507A 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N3506A 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:24 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N34A BK 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 50MA DO7 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:50mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 5mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 工作温度 - 结:-55°C ~ 75°C 标准包装:2,000 1N3477A 功能描述:DIODE ZENER 2.2V 250MW DO-7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N3477 功能描述:DIODE ZENER 2.2V 250MW DO-7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.2V 容差:±10% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N3518A 1N3519A 1N3520A 1N3521A 1N3522A 1N3523A 1N3524A 1N3525A 1N3526A 1N3527A 1N3528A 1N3529A 1N3530A 1N3531A 1N3532A 1N3533A 1N3534A 1N3595