1N3880RJANTX

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1N3880RJANTX 技术参数

1N3880R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 1N3880 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 1N3879R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 1N3879 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 1N3828A-1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 1N3890A 1N3890AR 1N3890R 1N3891 1N3891A 1N3891AR 1N3891R 1N3892 1N3892A 1N3892AR 1N3892R 1N3893 1N3893A 1N3893AR 1N3893R 1N3899 1N3899R 1N3900