1N4001 RTE

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： 1N4001 TR 1N4001/54 1N4001-B 1N4001B-G 1N4001-E3/53 1N4001-E3/54 1N4001-E3/73 1N4001E-E3/54 1N4001E-E3/73

1N4001 RTE PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

1N4001 RTE 技术参数

1N4001 BK 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:* 零件状态:生命周期结束二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:* 封装/外壳:* 供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:2,000 1N4001 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 1N3999A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N3999 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N3998A 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.1 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 1N4001G 1N4001-G 1N4001G A0G 1N4001G B0G 1N4001G BK 1N4001G R0G 1N4001G R1G 1N4001GHA0G 1N4001GHB0G 1N4001GHR0G 1N4001GHR1G 1N4001GL-T 1N4001GP 1N4001GP-E3/54 1N4001GP-E3/73 1N4001GPE-E3/54 1N4001GPE-E3/73 1N4001GPE-E3/91