1N4001CSM4

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制造商
SEME-LAB
制造商全称
Seme LAB
功能描述
GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER DIODE

1N4001CSM4 技术参数

1N4001B-G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:comchip technology 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 1N4001-B 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:* 标准包装:1,000 1N4001/54 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4001 TR 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:生命周期结束标准包装:5,000 1N4001 BK 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:* 零件状态:生命周期结束二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:* 封装/外壳:* 供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:2,000 1N4001G BK 1N4001G R0G 1N4001G R1G 1N4001GHA0G 1N4001GHB0G 1N4001GHR0G 1N4001GHR1G 1N4001GL-T 1N4001GP 1N4001GP-E3/54 1N4001GP-E3/73 1N4001GPE-E3/54 1N4001GPE-E3/73 1N4001GPE-E3/91 1N4001GPEHE3/54 1N4001GPEHE3/73 1N4001GPEHE3/91 1N4001GPE-M3/54