1N413BR

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说明
操作

1N413BR
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
250
isc,iscsemi
DO-8,DO-205AA,反极向
2024+
-
国产品牌，可替代原装

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1

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制造商
MICROSEMI
制造商全称
Microsemi Corporation
功能描述
Silicon Power Rectifier

1N413BR 技术参数

1N4135UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4135UR 功能描述:DIODE ZENER 100V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1500 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N4135-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4135 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 100V 400MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1500 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N4135 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4148_S62Z 1N4148_T26A 1N4148_T26R 1N4148_T50A 1N4148_T50R 1N4148-1 1N4148-1/TR 1N4148-1E3 1N4148-A 1N4148-G 1N4148-P-TAP 1N4148-P-TR 1N4148-T 1N4148-T26A 1N4148-T50A 1N4148-T50R 1N4148T-72 1N4148T-73