1N4148 TE-17

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1N4148 TE-17
深圳市华芯盛世科技有限公司
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地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
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SOD-323
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1N4148 TE-17
深圳市企诺德电子有限公司
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1N4148 TE-17 技术参数

1N4148 A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4148 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD27 制造商:fairchild/micross components 系列:- 包装:- 零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:10,000 1N4135UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4135UR 功能描述:DIODE ZENER 100V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1500 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N4135-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4148_T26R 1N4148_T50A 1N4148_T50R 1N4148-1 1N4148-1/TR 1N4148-1E3 1N4148-A 1N4148-G 1N4148-P-TAP 1N4148-P-TR 1N4148-T 1N4148-T26A 1N4148-T50A 1N4148-T50R 1N4148T-72 1N4148T-73 1N4148T-77 1N4148TA