1N4152 T-72

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1N4152 T-72 技术参数

1N4152 功能描述:DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:880mV @ 20mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:2,000 1N4151WS-HE3-18 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 50mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10,000 1N4151WS-HE3-08 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 50mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1N4151WS-G3-18 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 50mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10,000 1N4151WS-G3-08 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 50mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1N4154_T50R 1N4154TAP 1N4154TR 1N4154TR_S00Z 1N4245 1N4245GP-M3/54 1N4245GP-M3/73 1N4246 1N4246GP-E3/54 1N4246GP-E3/73 1N4246GPHE3/54 1N4246GPHE3/73 1N4246GP-M3/54 1N4246GP-M3/73 1N4247 1N4247GP-E3/54 1N4247GP-E3/73 1N4247GPHE3/54