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1N4246-E3

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1N4246-E3/54
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
500
Vishay Semiconductors
标准封装
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

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1N4246-E3 技术参数

1N4246 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:5μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N4245GP-M3/73 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO-204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:* 零件状态:停產标准包装:3,000 1N4245GP-M3/54 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO-204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:* 零件状态:停產标准包装:5,500 1N4245 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:5μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N4154TR_S00Z 功能描述:DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 30mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 25V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:10,000 1N4247GPHE3/54 1N4247GPHE3/73 1N4247GP-M3/54 1N4247GP-M3/73 1N4248 1N4248GP-E3/54 1N4248GP-E3/73 1N4248GPHE3/54 1N4248GPHE3/73 1N4248GP-M3/54 1N4248GP-M3/73 1N4249 1N4249GP-E3/54 1N4249GP-E3/73 1N4249GPHE3/54 1N4249GPHE3/73 1N4249GP-M3/54 1N4249GP-M3/73