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1N4448,143

配单专家企业名单
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  • 1N4448,143
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:史仙雁

    电话:19129911934(手机优先微信同号)0755-82813018

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 2300

  • NXP

  • ROHS

  • 13+

  • -
  • 全新原装正品 欢迎来电0755-8286...

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  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:胡泽君

    电话:18998911795

    地址:深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602

    资质:营业执照

  • 1000

  • NXP USA Inc.

  • 原厂封装

  • 20+

  • -
  • 原装正品,专注原装正品十五年

  • 1N4448,143
    1N4448,143

    1N4448,143

  • 深圳市企诺德电子有限公司
    深圳市企诺德电子有限公司

    联系人:

    电话:13480313979

    地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB

    资质:营业执照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原装正品 专业BOM配单

  • 1N4448,143
    1N4448,143

    1N4448,143

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:廖小姐

    电话:18998919871

    地址:深圳市福田区振兴路上步工业区405栋6楼601-602

  • 1000

  • NXP USA Inc.

  • 带盒(TB)

  • 20+

  • -
  • 原装正品,专注原装正品十五年

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1N4448,143 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 二极管 - 通用,功率,开关 Diode Switching 100V 0.2A 2-Pin ALF
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 产品
  • Switching Diodes
  • 峰值反向电压
  • 600 V
  • 正向连续电流
  • 200 A
  • 最大浪涌电流
  • 800 A
  • 配置
  • 恢复时间
  • 2000 ns
  • 正向电压下降
  • 1.25 V
  • 最大反向漏泄电流
  • 300 uA
  • 最大功率耗散
  • 工作温度范围
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • ISOTOP
  • 封装
  • Tube
1N4448,143 技术参数
  • 1N4448,133 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):200mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 20V 不同?Vr,F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:ALF2 工作温度 - 结:200°C(最大) 标准包装:1 1N4448,113 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):200mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 20V 不同?Vr,F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:ALF2 工作温度 - 结:200°C(最大) 标准包装:1 1N4448 TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 20V 不同?Vr,F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 1N4448 A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:720mV @ 5mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1N4448 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:2,000 1N4448HWT-7 1N4448-T 1N4448TAP 1N4448-TP 1N4448TR 1N4448TR_S00Z 1N4448W RHG 1N4448W-7 1N4448W-7-F 1N4448W-E3-08 1N4448W-E3-18 1N4448W-G3-08 1N4448W-G3-18 1N4448W-HE3-08 1N4448W-HE3-18 1N4448WQ-7-F 1N4448WS 1N4448WS RRG
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