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1N4448W T/R

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  • 1N4448W T/R
    1N4448W T/R

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  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 23867

  • PANJIT/强茂

  • SOD-123

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  • 原厂原装现货

  • 1N4448W T/R
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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    联系人:朱先生/李小姐

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    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • PANJIT

  • 原厂封装

  • 最新批号

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  • 1N4448W T/R
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  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

    地址:深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 50500

  • PANJIT

  • SOT-23

  • 22+

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  • 原装,公司部分现货,有单来谈QQ:161...

  • 1N4448W T/R
    1N4448W T/R

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  • 深圳市企诺德电子有限公司
    深圳市企诺德电子有限公司

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    电话:13480313979

    地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB

    资质:营业执照

  • 15000

  • PANASONICJIT

  • N/A

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  • 原装正品 专业BOM配单

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1N4448W T/R 技术参数
  • 1N4448W RHG 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):150mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1N4448TR_S00Z 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:10,000 1N4448TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:1 1N4448-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-50°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4448TAP 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:720mV @ 5mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):8ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:1 1N4448WS 1N4448WS RRG 1N4448WS-7 1N4448WS-7-F 1N4448WS-E3-08 1N4448WS-E3-18 1N4448WSF-7 1N4448WSFQ-7 1N4448WS-G3-08 1N4448WS-G3-18 1N4448WS-HE3-08 1N4448WS-HE3-18 1N4448WSQ-7-F 1N4448WSTR 1N4448WT 1N4448W-TP 1N4448WTR 1N4448WX-TP
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