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1N4454 BK

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  • 功能描述
  • DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 散装
  • 零件状态
  • 在售
  • 二极管类型
  • 标准
  • 电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 75V
  • 电流 - 平均整流(Io)
  • 150mA
  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf
  • 1V @ 10mA
  • 速度
  • 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢复时间(trr)
  • 4ns
  • 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
  • 100nA @ 50V
  • 不同?Vr,F 时的电容
  • 2pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装
  • DO-35
  • 工作温度 - 结
  • -65°C ~ 200°C
  • 标准包装
  • 2,500
1N4454 BK 技术参数
  • 1N4454 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N4449 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 30mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 20V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4448X-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):250mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2.5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4448WX-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):250mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2.5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4448WTR 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):250mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1N4458R 1N4459 1N4459R 1N4460 1N4460 BK 1N4460 TR 1N4460US 1N4461 1N4461 BK 1N4461 TR 1N4461US 1N4462 1N4462 BK 1N4462 TR 1N4462US 1N4463 1N4463 BK 1N4463US
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