1N4459R

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N4459R
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
250
isc,iscsemi
DO-4,DO-203AA，反极向
2024+
-
国产品牌，可替代原装

1N4459R
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
86530
MICROSEMI
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

1N4459R
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
10000
MICROSEMI
金封镙旋型
15+
-
原装正品，假一罚十

1/1页 40条/页共6条
1

您是不是要找： 1N4460 1N4460 BK 1N4460 TR 1N4460US 1N4461 1N4461 BK 1N4461 TR 1N4461US 1N4462

1N4459R PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

1N4459R PDF下载

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
STANDARD RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) - Bulk

1N4459R 技术参数

1N4459 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 15A DO203AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 15A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-203AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N4458R 功能描述:Diode Standard, Reverse Polarity 800V 15A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/162 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-203AA（DO-4）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N4458 功能描述:Diode Standard 800V 15A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/162 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-203AA（DO-4）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N4454UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 1N4454-TR 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA DO204AH 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-204AH（DO-35 玻璃）工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:10,000 1N4462 BK 1N4462 TR 1N4462US 1N4463 1N4463 BK 1N4463US 1N4464 1N4464 BK 1N4464US 1N4465 1N4465 BK 1N4465 TR 1N4465US 1N4466 1N4466 BK 1N4466 TR 1N4466US 1N4467