1N457JAN

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1N457JAN
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
1074
MSC
2007/2008
-
公司现货,只做原装！

1N457JAN
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
1074
MSC
2007/2008
-
公司现货,只做原装！

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1N457JAN 技术参数

1N457ATR 功能描述:DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 1N457A_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:30,000 1N457A 功能描述:DIODE GEN PURP 70V 150MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 70V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4579AUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4579A-1 功能描述:DIODE ZENER 6.4V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 100°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N4582AUR-1 1N4583-1 1N4583AUR-1 1N4584-1 1N4584A-1 1N4584AUR-1 1N4585GP-E3/54 1N4586GP-E3/54 1N4586GP-E3/73 1N4586GPHE3/54 1N4586GPHE3/73 1N4587 1N4587R 1N4588 1N4588R 1N4589 1N4589R 1N458A