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1N4686RL

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市金嘉旭贸易有限公司
    深圳市金嘉旭贸易有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司
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  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • - Bulk
1N4686RL 技术参数
  • 1N4686 TR 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N4686 BK 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N4686 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N4686 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N4685UR-1 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:7.5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N4688 TR 1N4688UR-1 1N4689 1N4689 (DO35) 1N4689 BK 1N4689 TR 1N4689-TP 1N4689UR-1 1N4690 1N4690 (DO35) 1N4690UR-1 1N4691 1N4691UR-1 1N4692 (DO35) 1N4692UR-1 1N4693 1N4693 (DO35) 1N4693E3
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