1N4743A.TR

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1N4743A.TR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
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地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
1600
NATIONAL SEMICONDUCTOR
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深圳市华芯盛世科技有限公司
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865000
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1N4743A.TR 技术参数

1N4743A,133 功能描述:DIODE ZENER 13V 1W DO41 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 9.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4743A,113 功能描述:DIODE ZENER 13V 1W DO41 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 9.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 基本零件编号:1N4743 标准包装:1 1N4743A TR 功能描述:DIODE ZENER 13V 1W DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 9.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4743A R1G 功能描述:DIODE ZENER 13V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 32.7V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:5,000 1N4743A R0G 功能描述:DIODE ZENER 13V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 32.7V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:5,000 1N4743AP/TR12 1N4743AP/TR8 1N4743APE3/TR12 1N4743APE3/TR8 1N4743A-T 1N4743A-T50A 1N4743ATA 1N4743A-TAP 1N4743A-TP 1N4743ATR 1N4743A-TR 1N4743AUR 1N4743CE3/TR13 1N4743CP/TR12 1N4743CP/TR8 1N4743CPE3/TR12 1N4743CPE3/TR8 1N4743E3/TR13