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1N4747A_T50R

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功能描述
稳压二极管 20V 1W ZENER 5%
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N4747A_T50R 技术参数

1N4747A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 20V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:22 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 15.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4747A_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 20V 1W 5% DO-41 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:22 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 15.2V 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1,000 1N4747A,133 功能描述:DIODE ZENER 20V 1W DO41 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:22 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 15.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4747A,113 功能描述:DIODE ZENER 20V 1W DO41 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:22 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 15.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 基本零件编号:1N4747 标准包装:1 1N4747A TR 功能描述:DIODE ZENER 20V 1W DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:22 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 15.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4747APE3/TR8 1N4747A-T 1N4747A-T50A 1N4747ATA 1N4747A-TAP 1N4747A-TP 1N4747ATR 1N4747A-TR 1N4747AUR 1N4747AW-TP 1N4747CE3/TR13 1N4747CP/TR12 1N4747CP/TR8 1N4747CPE3/TR12 1N4747CPE3/TR8 1N4747E3/TR13 1N4747G A0G 1N4747G R0G