1N4758G

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功能描述
稳压二极管 1W,56V,5%,ZENER
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N4758G 技术参数

1N4758E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 56V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:110 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:5,000 1N4758CPE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 56V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:110 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1N4758CPE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 56V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:110 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 1N4758CP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 56V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:110 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1N4758CP/TR12 功能描述:DIODE ZENER 56V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:110 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 1N4759A BK 1N4759A G 1N4759A R0G 1N4759A R1G 1N4759A TR 1N4759AE3/TR13 1N4759AHA0G 1N4759AHB0G 1N4759AHR0G 1N4759AHR1G 1N4759AP/TR12 1N4759AP/TR8 1N4759APE3/TR12 1N4759APE3/TR8 1N4759A-T 1N4759ATA 1N4759A-TAP 1N4759A-TP