1N485B_T50R

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功能描述
整流器 General Purpose Low Leakage
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

1N485B_T50R 技术参数

1N485B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N485A 功能描述:DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:180V 电流 - 平均整流（Io）:100mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 180V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N485 功能描述:DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:180V 电流 - 平均整流（Io）:100mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 180V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N484B 功能描述:DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:125V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 125V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 1N483BUR 功能描述:DIODE GEN PURP 225V 50MA DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:225V 电流 - 平均整流（Io）:50mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 225V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N4890A 1N4891 1N4891A 1N4892 1N4892A 1N4893 1N4893A 1N4894 1N4894A 1N4895 1N4895A 1N4896 1N4896A 1N4897 1N4897A 1N4898 1N4898A 1N4899