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1N5223B(T50R)

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    1N5223B(T50R)

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • FAIRCHILD

  • N/A

  • N/A

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
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1N5223B(T50R) 技术参数
  • 1N5223B TR 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:75μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5223B BK 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:75μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N5223B A0G 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:75μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:100°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5223B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:75μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5223B 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:75μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 1N5223C-TR 1N5224A (DO-35) 1N5224B 1N5224B (DO-35) 1N5224B A0G 1N5224B TR 1N5224B_T50A 1N5224B_T50R 1N5224B-T 1N5224BTA 1N5224B-TAP 1N5224B-TP 1N5224B-TR 1N5224BUR-1 1N5224C-TAP 1N5224C-TR 1N5225A (DO-35)TR 1N5225B
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