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1N5226BRL

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • MOTOROLA

  • DO-35

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

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    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ON SEMICONDUCTOR

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  • 制造商
  • SynSemi Inc
  • 功能描述
1N5226BRL 技术参数
  • 1N5226B-G 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:comchip technology 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):28 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5226B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):28 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5226B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):28 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 1N5226B TR 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):28 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5226B BK 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):28 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N5226TA 1N5227A (DO-35) 1N5227B 1N5227B (DO-35) 1N5227B A0G 1N5227B TR 1N5227B_T50A 1N5227B_T50R 1N5227B-T 1N5227BTA 1N5227B-TAP 1N5227B-TP 1N5227BTR 1N5227B-TR 1N5227BUR-1 1N5227C-TAP 1N5227C-TR 1N5227DO35E3
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