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1N5230BRL

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  • 1N5230BRL
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  • 深圳市湘达电子有限公司
    深圳市湘达电子有限公司

    联系人:朱平

    电话:0755-83229772-83202753

    地址:办公地址 帮我改成 深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室

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  • MOTOROLA

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  • 百分百进口原装现货,价格有优势。

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • MOTOROLA

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  • 制造商
  • Motorola Inc
  • 功能描述
1N5230BRL 技术参数
  • 1N5230BDO35 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):19 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5230B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):19 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5230B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):19 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5230B_T26A 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):19 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5230B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):19 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 1N5231A 1N5231A (DO-35) 1N5231B 1N5231B (DO-35) 1N5231B A0G 1N5231B BK 1N5231B TR 1N5231B_NT50A 1N5231B_S00Z 1N5231B_T26A 1N5231B_T50A 1N5231B_T50R 1N5231BDO35TR 1N5231B-T 1N5231BTA 1N5231B-TAP 1N5231B-TP 1N5231BTR
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