1N5234BDO35

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功能描述
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO-35
RoHS
否
类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳
系列
-
标准包装
1
系列
-
电压 - 齐纳（标称）(Vz)
36V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电
100nA @ 27V
容差
±5%
功率 - 最大
200mW
阻抗（最大）(Zzt)
70 欧姆
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-70，SOT-323
供应商设备封装
SOT-323
包装
剪切带 (CT)
工作温度
-65°C ~ 150°C
产品目录页面
1585 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT

1N5234BDO35 技术参数

1N5234B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5234B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5234B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 1N5234B TR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5234B BK 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N5234CTR 1N5234C-TR 1N5234TA 1N5235A 1N5235A (DO-35) 1N5235B 1N5235B (DO-35) 1N5235B A0G 1N5235B BK 1N5235B TR 1N5235B_S00Z 1N5235B_T50A 1N5235B_T50R 1N5235BDO35 1N5235B-T 1N5235BTA 1N5235B-TAP 1N5235B-TP