1N5252BTA

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N5252BTA
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
ONN
NULL
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

1N5252BTA
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
3200
ON SEMICONDUCTOR
ROHS
1308+
-
全新原装现货库存！400-800-030...

1N5252BTA
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6755
ON SEMICONDUCTOR
ROHS
201321
-
原装正品，现货库存。400-800-03...

1/1页 40条/页共7条
1

您是不是要找： 1N5252B-TAP 1N5252B-TP 1N5252BTR 1N5252B-TR 1N5252C-TAP 1N5252C-TR 1N5252TA 1N5253A 1N5253A (DO-35)

1N5252BTA PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

1N5252BTA PDF下载

功能描述
DIODE ZENER 24V 500MW DO35
制造商
smc diode solutions
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）
24V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
33 欧姆
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
100nA @ 17.1V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）
1.1V @ 200mA
工作温度
200°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装
DO-35
标准包装
5,000

1N5252BTA 技术参数

1N5252B-T 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:33 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5252BDO35E3 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:33 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5252B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:33 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5252B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:33 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 1N5252B TR 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:33 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5253B 1N5253B (DO-35) 1N5253B A0G 1N5253B BK 1N5253B TR 1N5253B_S00Z 1N5253B_T50R 1N5253B-T 1N5253BTA 1N5253B-TAP 1N5253B-TP 1N5253BTR 1N5253B-TR 1N5253BUR-1 1N5253C-TAP 1N5253C-TR 1N5253TA 1N5254A