1N5256B30V

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1N5256B30V
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
2100
ON
ROHS
13+
-
全新原装现货库存！400-800-030...

1N5256B30V
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6550
ON
DO-35
201311+
-
原装正品，现货库存！400-800-03...

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1N5256B30V 技术参数

1N5256B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 23V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5256B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 23V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5256B_T26A 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 23V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5256B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 23V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 1N5256B TR 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 23V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5256TA 1N5257A 1N5257A (DO-35) 1N5257B 1N5257B (DO-35) 1N5257B A0G 1N5257B BK 1N5257B TR 1N5257B_S00Z 1N5257B_T50A 1N5257B_T50R 1N5257B-G 1N5257B-T 1N5257BTA 1N5257B-TAP 1N5257B-TP 1N5257BTR 1N5257B-TR