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1N5337CTR

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全称
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Silicon 5 Watt Zener Diodes
1N5337CTR 技术参数
  • 1N5337CE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5337CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 1N5337CE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 1N5337C/TR8 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5337C/TR12 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 1N5338AE3/TR8 1N5338B 1N5338B/TR12 1N5338B/TR8 1N5338BE3/TR12 1N5338BE3/TR13 1N5338BE3/TR8 1N5338BG 1N5338BRL 1N5338BRLG 1N5338B-TP 1N5338C/TR12 1N5338C/TR8 1N5338CE3/TR12 1N5338CE3/TR13 1N5338CE3/TR8 1N5338E3/TR12 1N5338E3/TR13
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