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1N5363B(30V)

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1N5363B(30V) 技术参数
  • 1N5363B 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 21.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 1N5363AE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 21.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5363AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 21.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 1N5363AE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 21.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 1N5363A/TR8 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 21.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5363C/TR12 1N5363C/TR8 1N5363CE3/TR12 1N5363CE3/TR13 1N5363CE3/TR8 1N5363E3/TR12 1N5363E3/TR13 1N5363E3/TR8 1N5364/TR12 1N5364/TR8 1N5364A/TR12 1N5364A/TR8 1N5364AE3/TR12 1N5364AE3/TR13 1N5364AE3/TR8 1N5364B 1N5364B/TR12 1N5364B/TR8
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