1N5631AJAN

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1N5631AJAN
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
40
MSC
-
公司现货,只做原装！

1N5631AJAN
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
40
MSC
-
公司现货,只做原装！

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1N5631AJAN 技术参数

1N5631A 功能描述:TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:7.02V 电压 - 击穿（最小值）:7.79V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12.1V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:124A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5631 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5630A 功能描述:TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:6.4V 电压 - 击穿（最小值）:7.13V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:132A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5630 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5629A 功能描述:TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5.8V 电压 - 击穿（最小值）:6.45V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:10.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:143A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5636A 1N5637 1N5637A 1N5637A/TR 1N5637AE3 1N5637AE3/TR 1N5638 1N5638A 1N5639 1N5639A 1N5640 1N5640A 1N5641 1N5641A 1N5642 1N5642A 1N5643 1N5643A