1N5711JANTXV

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1N5711JANTXV 技术参数

1N5711-1 功能描述:DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 电流 - 平均整流（Io）:33mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35（DO-204AH）工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N5711#T50 功能描述:DIODE SCHOTTKY SINGLE 70V AXIAL 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:肖特基 - 单电压 - 峰值反向（最大值）:70V 电流 - 最大值:15mA 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:250mW 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:- 标准包装:5,000 1N5711#T25 功能描述:DIODE SCHOTTKY SINGLE 70V AXIAL 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:肖特基 - 单电压 - 峰值反向（最大值）:70V 电流 - 最大值:15mA 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:250mW 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:- 标准包装:2,500 1N5711 1N5665A 功能描述:TVS DIODE 171VWM 274VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:171V 电压 - 击穿（最小值）:190V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:274V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5712#T25 1N5712-1 1N5712UB 1N5712UBCC 1N5712UR-1 1N5719 1N5728B 1N5728C 1N5728D 1N5729B 1N5729C 1N5729D 1N5730B 1N5730C 1N5730D 1N5731B 1N5731C 1N5731D