1N5729C

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ZENER SGL 5.1V 2% 480MW 2PIN DO-35 - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 5.1V 500MW DO-35

1N5729C 技术参数

1N5729B 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5728D 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5728C 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5728B 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5719 功能描述:DIODE PIN GEN PURP SW 150V AXIAL 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:150V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.3pF @ 100V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1.25 欧姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:- 标准包装:100 1N5732D 1N5733B 1N5733C 1N5733D 1N5734B 1N5734C 1N5734D 1N5735B 1N5735C 1N5735D 1N5736B 1N5736C 1N5736D 1N5737B 1N5737C 1N5737D 1N5738B 1N5738C