1N5818WSSK

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1N5818WSSK 技术参数

1N5818-TP 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:550mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5818-T 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:550mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5818RLG 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:550mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:轴向工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5818RL 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:550mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:轴向工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:5,000 1N5818M-13 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A MELF 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:550mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装:MELF 工作温度 - 结:-60°C ~ 125°C 标准包装:5,000 1N5819-B 1N5819-E3/51 1N5819-E3/53 1N5819-E3/54 1N5819-E3/73 1N5819G 1N5819-G 1N5819HA0G 1N5819HB0G 1N5819HR0G 1N5819HR1G 1N5819HW1-7-F 1N5819HW-7 1N5819HW-7-F 1N5819M-13 1N5819RL 1N5819RLG 1N5819-T