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1N5819-FG-WS

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1N5819-FG-WS 技术参数
  • 1N5819-E3/73 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:110pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5819-E3/54 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:110pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5819-E3/53 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 3.1V 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:110pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:3,000 1N5819-E3/51 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:5,000 1N5819-B 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:110pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1,000 1N5819M-13 1N5819RL 1N5819RLG 1N5819-T 1N5819-TP 1N5819UR-1/TR 1N5820 1N5820 A0G 1N5820 B0G 1N5820 R0G 1N5820-B 1N5820-E3/54 1N5820-E3/73 1N5820G 1N5820HA0G 1N5820HB0G 1N5820HR0G 1N5820RL
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