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1N5819-T/R

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  • 制造商
  • Micro Commercial Components (MCC)
  • 功能描述
  • Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-41 T/R
1N5819-T/R 技术参数
  • 1N5819-T 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:110pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5819RLG 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:轴向 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5819RL 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:轴向 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5819M-13 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A MELF 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF(玻璃) 供应商器件封装:MELF 工作温度 - 结:-60°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5819HW-7-F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):450mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5820G 1N5820HA0G 1N5820HB0G 1N5820HR0G 1N5820RL 1N5820RLG 1N5820-T 1N5820-TP 1N5820US 1N5821 1N5821 A0G 1N5821 B0G 1N5821 R0G 1N5821-B 1N5821-E3/54 1N5821G 1N5821HA0G 1N5821HB0G
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