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1N5819SS14技术参数

1N5819SX 制造商:Microwave Semiconductor 功能描述: 1N5819-T 功能描述:肖特基二极管与整流器 Vr/40V Io/1A T/R RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel 1N5819-T/R 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-41 T/R 1N5819-T3 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:1.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE 1N5819TA 制造商:World Products 功能描述: 1N5819-TB 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 1N5819-T-CUT TAPE 制造商:DIODES 功能描述:1N5819 Series 40 V 1 A Through Hole Schottky Barrier Rectifier - DO-41 1N5819-T-F 制造商:Zetex / Diodes Inc 功能描述:Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-41 T/R 1N5819T-G 功能描述:肖特基二极管与整流器 VRRM=40V, IAV=1.0A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel 1N5819-TP 功能描述:肖特基二极管与整流器 1.0A 40V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel 1P1G08MDBVREPG4 1P1G125QDCKRG4Q1 1P1G125QDCKRQ1 1P1G126QDBVRQ1 1P1G126QYEPR 1P1G14MDBVREPG4 1P1G3157QDBVRQ1 1P1G3157QDCKRQ1 1P1G66QDBVRG4Q1 1P1G66QDBVRQ1 1P2G125QYEPR 2005ASZ 20-101-0080 20-101-0081 20-101-0087 20-101-0383 20-101-0404 20-101-0405