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1N5956BUR-1

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 200V 5% 1.25W 2PIN DO-213AB - Bulk
1N5956BUR-1 技术参数
  • 1N5956BRLG 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 1N5956BRL 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:6,000 1N5956BPE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 200V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1,500 1N5956BPE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 200V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:4,000 1N5956BP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 200V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1,500 1N5956E3/TR13 1N5956P/TR12 1N5956P/TR8 1N5956PE3/TR12 1N5956PE3/TR8 1N5968 1N5969 1N5985A 1N5985B 1N5985B BK 1N5985B TR 1N5985B_T50A 1N5985B_T50R 1N5985C 1N5985D 1N5985UR 1N5985UR-1 1N5986A
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