您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > 1字母型号搜索 > 1字母第5301页 >

1N6000B

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 1N6000B
    1N6000B

    1N6000B

  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-292759351581559886118576729816

    地址:广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

  • 39800

  • MOTOROLA

  • DO-35

  • 新年份

  • -
  • 一级代理全新原装现货特价!

  • 1N6000B
    1N6000B

    1N6000B

  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 8998

  • ST

  • DO-35

  • 12+

  • -
  • 绝对公司原装现货

  • 1N6000B
    1N6000B

    1N6000B

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • MOTOROLA

  • DO35

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • 1N6000B
    1N6000B

    1N6000B

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8378920313332987005

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 36200

  • 原厂原装

  • 18+

  • -
  • 原装现货,优势供应

  • 1/1页 40条/页 共12条 
  • 1
1N6000B PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 稳压二极管 10 Volt 500mW 5%
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齐纳电压
  • 12 V
  • 电压容差
  • 5 %
  • 电压温度系数
  • 0.075 % / K
  • 齐纳电流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄电流
  • 3 uA
  • 最大齐纳阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-214AC
  • 封装
  • Reel
1N6000B 技术参数
  • 1N6000A 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5999UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N5999UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N5999D 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5999C 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N6001B 1N6001B_T50A 1N6001B_T50R 1N6001C 1N6001D 1N6001UR 1N6001UR-1 1N6002A 1N6002B 1N6002B BK 1N6002B TR 1N6002B_T50A 1N6002B_T50R 1N6002B-TP 1N6002C 1N6002D 1N6002UR 1N6002UR-1
配单专家

在采购1N6000B进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买1N6000B产品风险,建议您在购买1N6000B相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的1N6000B信息由会员自行提供,1N6000B内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号