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1N6051AJANTX

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全称
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507
1N6051AJANTX 技术参数
  • 1N6051A 功能描述:TVS DIODE 28VWM 45.7VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):28V 电压 - 击穿(最小值):31.4V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:45.7V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):33A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6051 功能描述:TVS DIODE 26VWM 47.7VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):26V 电压 - 击穿(最小值):29.7V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:47.7V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):31.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6050A 功能描述:TVS DIODE 25VWM 41.4VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):25V 电压 - 击穿(最小值):28.5V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:41.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):36A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6050 功能描述:TVS DIODE 24VWM 43.5VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):24V 电压 - 击穿(最小值):27V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:43.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):34.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6049A 功能描述:TVS DIODE 22VWM 37.5VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):22V 电压 - 击穿(最小值):25.7V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:37.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):40A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6056A 1N6057 1N6057A 1N6058 1N6058A 1N6059 1N6059A 1N6060 1N6060A 1N6061 1N6061A 1N6062 1N6062A 1N6063 1N6063A 1N6064 1N6064A 1N6065
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